导读： 技术进步与人力成本上升共同推动了工业制造升级，全球制造业发达地区都制订了相应的发展规划，例如“中国制造2025”、“工业4．0”及“工业互联网”。

      技术进步与人力成本上升共同推动了工业制造升级，全球制造业发达地区都制订了相应的发展规划，例如“中国制造2025”、“工业4．0”及“工业互联网”。
      在工业生产数字化、智能化过程中，我们也不应该遗忘真正“驱动”工业设备运转的半导体元器件，尤其是功率器件。如今，功率器件被广泛应用于各种工业设备中，用来控制、转换与调节系统的电压电流，从MOSFET、IGBT，到新兴的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件，不同类型的功率器件满足了不同工业应用环境的需要。

      工业应用对功率器件的要求

      面向工业设备的功率器件使用条件比较苛刻，有的应用需要24小时365天无间断运转。瑞萨电子大中国区汽车电子业务中心高级部门专家落合康彦指出，设计与研发功率器件时，必须考虑两点。“一个是损耗特性，由于无间断运转需求，如何减少器件所产生的损耗对工厂电费有直接影响。而且不同应用需要不同的开关频率，工程师需要按照实际开关频率要求，决定有限考虑的是导通损耗还是开关损耗，然后决定最佳的选择；第二是可靠性，特别是无人工厂，器件故障会直接影响到工厂运作造成损失，所以器件耐受性也是需要优先考虑。”
      “工业设备和自动化产线对功率器件有绝对的依赖，这些设备通过功率器件实现能量转换，功能动作的实现也是通过控制功率器件来完成。”力特公司（Littelfuse）技术应用经理杜尧生认为，现在对功率器件的要求越来越高，高效率、低功耗、小尺寸，以及容易控制和方便应用，都是工业应用对功率器件的要求。
      “应用于工业的功率器件必须可靠、高效、紧凑，能够耐受抛负载，而且能在宽输入电压范围保持输出稳定，”安森美半导体应用工程经理Jon Gladish则这样表示，“此外，电源转换的损耗要小，能够在较宽的温度范围工作。”

      大功率器件

      大功率器件主要用于工业应用，相比小功率器件，高电压、大电流的大功率器件在设计开发和应用中需要考虑的因素更多。
      “大电流高电压的产品都要考虑应力设计问题，而且大功率器件通常不是一个理想的开关器件，所以在设计时需要充分注意导通损耗、电压变化率（du／dt）、电流变化率（di／dt）等问题，二极管的反向恢复时间也需要考虑。”力特杜尧生表示，功率器件电压设定也很重要，现在cool MOS电压到1200V已经接近极限，1700V和3300V只能采用IGBT，但力特的碳化硅（SiC）MOSFET却非常容易实现1200V和1700V的最低电压设计。
      当然碳化硅MOSFET门极驱动是一个设计难点，因为碳化硅器件本身损耗小，开关频率可以设计到500KHz级别，所以驱动信号会非常快，除了电源绝缘，还要做好信号的绝缘隔离处理。高频信号也带来了电磁干扰问题，“抗干扰和抑制干扰都会变得头痛，工程师必须面对EMI问题，否则就会误触发引起器件失控。电路板的高频优化和多点接地系统设计也变成难点，系统设计既要进行时域分析，又要进行频域分析。”
      安森美半导体Jon Gladish强调安全始终是功率器件应用的主要考虑因素，尤其是高电压、大电流的大功率器件。“UL认为，高于60V的电压接触到人体，将造成伤害，甚至会导致死亡，所以大功率器件在应用时，必须要充分考虑安全设计，满足爬电距离和电气间隙要求是高压器件应用安全的首要条件。”高压引脚周围的灰尘和异物也存在危害，功能缺陷更要注意排查。
      由于大功率器件在工作中会产生大量的热，所以也需要特别注意其散热设计，尽可能减少由热膨胀失配引起的机械应力，以免发生危险。对如何进行散热设计，Jon Gladish提到几点：符合规范的PCB布局布线（PCB线的宽度、厚度和直径等因素都要考虑），优良的散热架构，选择热阻更小的封装材料等。
      瑞萨电子落合康颜表示，高压大电流应用中，往往不是单个芯片来承担大电流，对于两个或多个芯片并联使用场景，最重要的是控制多个芯片之间的特性偏差。“芯片特性偏差产生电流偏差，电流集中的芯片将会出现过热甚至损毁的状况，所以控制器件制造工艺偏差非常关键。”

      常见失效模式

      功率器件失效往往会带来比较严重的后果。尤其在不间断电源、太阳能逆变器、电信和充电桩等工业应用中，如果功率器件在设备运行时出现故障，将可能导致多种二次故障，例如熔化、起火或者爆炸。“所以通常情况，工业系统有过压保护（OVP）金额过流保护（OCP）等故障检测功能，”Jon Gladish表示，依靠故障检测功能，出现功率器件失效情况时，系统可以及时切断供电，从而避免二次故障。
      Jon Gladish总结了5种常见的功率器件失效模式：雪崩击穿；静电放电（ESD）或门极浪涌；体二极管反向恢复电流过大。可能会触发寄生BJT；长期工作在线性区，由于电流过大而导致的热失控；装配不当造成的封装损害。
      落合康颜认为，根据瑞萨电子的统计，客户的失效问题90％以上是由于过电压或过电流造成的损坏，特别是IGBT和MOSFET等开关器件，在开关过程中发生的失效极多。“为防止此类失效，采用适当的驱动条件，并尽力抑制PCB寄生电感。”
      “器件最常见的失效就电压击穿，短路烧毁，所以器件抗浪涌的能力必须强，抗冲击能力必须强。另外耐受电压的能力也要高。短路失效使我们最头疼的问题，因为器件短路对电源的沙胜利最大，可能会把整个电路板烧毁，甚至引起火灾。”杜尧生举了一个例子，工厂里运行的变频器通常是六个桥臂顺序工作，如果因为器件失效引发上下桥短路，没有保护的管子就会炸掉。“功率器件的短路保护是非常重要的设计环节，驱动板都会设定短路保护的时间，功率器件也会有最大短路电流标称。”

      功率器件发展趋势

      遵循摩尔定律的数字芯片更新换代非常迅猛，相比之下，功率器件发展比较缓慢，但也在不断演进，从最早的晶闸管技术，到GTO技术、MOSFET技术，再到IGBT、IGCT或IGET，这些以硅为基材的技术，在工作电压与损耗等参数上似乎已经达到了极限。“SiC技术的兴起和成熟，给功率器件带来了变革的曙光，”杜尧生表示，提高功率密度是目前功率器件技术的主要要求，电力传动系统和电力转换系统对能效比要求都很高，“力特的SiC产品，相比传统功率器件降低了80％的损耗，几乎变成了一个理想的开关器件。”
      除了传统的IGBT，安森美半导体也在持续开发宽禁带器件技术，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），此外超级结和屏蔽栅极硅基MOSFET（shielded－gate silicon based MOSFET）也是重点投入方向。“产业趋势是设计开发出更快、导通电阻更小的器件，不断降低硅特征导通电阻（RSP）和开关损耗，以实现更高的能效和功率密度。”Jon Gladish指出，还有一个优化方向是新型封装，安森美的重点方向是低寄生电阻和电感的表面贴封装，以及增强散热能力的封装，例如双面冷却封装。
      Jon Gladish将功率技术发展趋势总结为四个方向。首先是高压化，高压化趋势是为了提高能源效率；其次是模块化，通过更有效的热管理，来实现高额定功率；第三是先进技术研发，重点是基于硅技术和宽禁带（SiC和GaN等）材料的功率器件技术；最后是智能化，带保护功能的智能功率器件将更适合工业控制。

      智能化

      Jon Gladish表示，虽然智能化功率模组（IPM）比普通分立器件方案更先进，对具体应用更优化，但用户并不一定会买账，因为智能功率模组通常价格更高，而且不是像分立器件这样的标准化产品。
      但智能功率模组的优点更多。首先模组性能更出色，隔离度更高、散热性能更强，同时模组内还可包含完整的保护功能，例如过电压、欠流和热关断；其次使用模组可以减小系统尺寸，功率模组通常采用系统化封装，将MOSFET、IGBT、二极管和驱动电路（Gate Driver Unit，简称GDU）等裸片都封在一个封装里，从而节省系统空间；最后模组可靠性更高，智能功率模组比分立方案元器件数量更少，加工环节减少，保护措施更完善，散热性能更好，这些都意味着更高的可靠性和更长的寿命。
      瑞萨电子落合康颜表示，在空调中使用IPM等功率较小的器件已经很广泛，但工业大功率器件通常是多个芯片并联使用，所以智能化也是整套设备的智能化。“比如在纯电动车中使用IGBT，瑞萨电子的想法并不是让IGBT本身变得智能化，而是对顾客提供包括IGBT的整个智能化变频器解决方案。”
      “集成了驱动管理、热管理以及防护管理的智能化产品会让工程设计更加简洁，力特的产品会更加灵活好用，对整个工业应用也会带来变革，工业4．0也就是智能化制造的过程，这个过程离不开智能化的功率器件或模组。”设备信息化是实现工业4．0的基础，就如杜尧生所言，智能化是功率器件行业发展的大趋势。

      总结

      功率器件是保证工业设备正常运作的核心器件，严苛的工业应用场景对工业用功率器件的参数提出了更高要求，并需要在使用中增加多种保护措施以防止功率器件失效造成的灾难，高压化、模块化、智能化将是今后功率器件发展的主要趋势，宽禁带半导体技术也越来越受到重视。可以预见，在实现工业4．0过程中，智能化功率模块的接受度将越来越高。


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